特許

J-GLOBAL ID：200903070816265790

窒化ガリウム系化合物半導体の電極材料

発明者： 妹尾 雅之 ,  中村 修二
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-118227
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291621
出願日： 1992年04月10日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】【目的】 p型層およびn型層からオーミック接触を得ることにより、窒化ガリウム系化合物半導体を利用して、低駆動電圧化、高輝度化した発光デバイスと実現する。【構成】 p型不純物をドープしたGaXAl1-XNにAu、Pt、Ag、Niよりなる群から選択される少なくとも一種の金属、またはそれらの合金を使用し、またn型不純物をドープしたGaXAl1-XNにはAl、Cr、Ti、Inよりなる群から選択される少なくとも一種の金属、またはそれらの合金を使用する。

請求項（抜粋）：

p型不純物をドープした一般式GaXAl1-XN(但し0≦X≦1)で表される窒化ガリウム系化合物半導体とオーミック接触を得る電極材料として、Au、Pt、Ag、Niよりなる群から選択される少なくとも一種の金属、またはそれらの合金を使用することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の電極材料。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭57-062579
  
• 特開平3-183173
  
• 窒化物系半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-211793   出願人：旭化成工業株式会社
• 特開平4-273175