特許
J-GLOBAL ID：200903070818609691
基板上にコーティングを形成させる方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青木 朗 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-194166
公開番号（公開出願番号）：特開平5-202478
出願日： 1992年07月21日
公開日（公表日）： 1993年08月10日
要約：
【要約】【目的】 基板上にコーティングを形成させる方法を提供する。【構成】 本方法は、構造式〔RR’Si O〕x で示されるフッ素化環状シロキサンを含んで成る蒸気を、基板を含有する堆積室内に十分量導入する工程と、高周波によるプラズマ放電作用によって堆積室内で前記蒸気の反応を誘発する工程とから成る。
請求項（抜粋）：
基板上にコーティングを形成させる方法において、構造式〔RR’SiO〕X (式中、Rは炭素原子数1〜6個を有する炭化水素基であり、R’は炭素原子数3〜10個を有するフッ素化炭化水素基であり、珪素原子に対してα位及びβ位にある炭素は水素化されており、そしてxは3または4である)で示されるフッ素化環状シロキサンを含んで成る蒸気を、基板を含有する堆積室内に十分量導入する工程;及び高周波によるプラズマ放電作用によって前記堆積室内で前記蒸気の反応を誘発する工程;とから成る前記方法。
IPC (3件)：
C23C 16/30
, C09D183/08 PMV
, C23C 16/50
