特許
J-GLOBAL ID:200903070823569878

不揮発性記憶装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 磯村 雅俊
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-001687
公開番号(公開出願番号):特開平8-190800
出願日: 1995年01月10日
公開日(公表日): 1996年07月23日
要約:
【要約】【目的】 デコーダ素子のレイアウトをメモリセルの微細化に適合させた高速動作可能な不揮発性記憶装置を提供すること。【構成】 高速化を図るために階層化されたワードデコーダ回路において、各デコーダ素子(例えば、SD0)の出力とn行のワード線(例えば、W00,W01)との間に選択的に制御可能なスイッチ(例えば、SW00,SW01)を設け、n行のワード線で1つのデコーダ素子を共有する。この構成によって、デコーダ素子のレイアウトピッチをワード線のピッチのn倍にすることができる。また、ワード線の数に対してデコーダ素子を減らすことができ、ワード線方向への配線を低減できる。このため、高速化と同時にメモリセルの微細化に適した不揮発性記憶装置を実現できる。
請求項(抜粋):
複数のメモリセルと、該メモリセルに接続されたワード線と、該ワード線を駆動する複数のデコーダ素子からなるデコーダ回路とを有する不揮発性記憶装置において、上記複数のデコーダ素子の各々は、選択的に制御される第1のスイッチング手段を介して複数のワード線に接続されることを特徴とする不揮発性記憶装置。
IPC (2件):
G11C 16/06 ,  G11C 11/41
FI (2件):
G11C 17/00 309 J ,  G11C 11/34 345

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