特許
J-GLOBAL ID：200903070828848562
SiGeチャンネルのMOSトランジスタ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-292907
公開番号（公開出願番号）：特開2001-119026
出願日： 2000年09月26日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：
【要約】【課題】 電気的特性が向上したSiGeチャンネルのMOSトランジスタ及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 SiGeチャンネルのMOSトランジスタは、半導体基板100内のソース及びドレイン領域130により限定されるチャンネル領域Cがキャリアの移動度が高いSiGeチャンネル層120で形成されており、その上のゲート絶縁膜としてアルミニウム酸化膜140を使用する。アルミニウム酸化膜140上にはゲート導電層150が形成される。従って素子の速度を向上させられ、素子のコンダクタンスを増加させられる。特にアルミニウム酸化膜140を低温で形成することによってSiGeチャンネルの特性を劣化させずに良質のゲート絶縁膜を得られる。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板と、この半導体基板の上部表面下に相互離隔するように形成された第2導電型のソース及びドレイン領域と、このソース及びドレイン領域により限定されるチャンネル領域に形成されたシリコンゲルマニウムチャンネル層と、前記チャンネル領域上に形成されたゲート絶縁膜としてのアルミニウム酸化膜と、このアルミニウム酸化膜上に形成されたゲート導電層と、前記ソース及びドレイン領域に各々電気的に連結されるように形成されたソース及びドレイン電極とを具備することを特徴とするSiGeチャンネルのMOSトランジスタ。
FI (3件)：
H01L 29/78 301 B
, H01L 29/78 301 G
, H01L 29/78 301 S
