特許
J-GLOBAL ID：200903070829418766
トレンチキャパシタの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 敏雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-098943
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330403
出願日： 1999年04月06日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 減少された電荷の漏れおよび増加されたキャパシタンスを有するトレンチキャパシタを提供する。【解決手段】 基板301中にトレンチを形成させ;このトレンチの下部に半導体材料320を備えさせ;この半導体材料の上方にあるトレンチの上部中に誘電カラー部を形成させ;半導体材料をトレンチの底部から除去し;カラーおよびトレンチ側面に裏打ちされたノード誘電層364をトレンチの底部に形成させ;トレンチキャパシタ360の電極として役立つドープされた半導体材料でトレンチを充填し、この場合トレンチの底部の直径は、有利には少なくともトレンチの上部にほぼ等しい。
請求項（抜粋）：
トレンチキャパシタの製造方法において、基板中にトレンチを形成させ;このトレンチの下部に半導体材料を備えさせ;この半導体材料の上方にあるトレンチの上部中に誘電カラー部を形成させ;半導体材料をトレンチの底部から除去し;カラーおよびトレンチ側面に裏打ちされたノード誘電層をトレンチの底部に形成させ;トレンチキャパシタの電極として役立つドープされた半導体材料でトレンチを充填し、この場合トレンチの底部の直径は、有利には少なくともトレンチの上部にほぼ等しいことを特徴とする、トレンチキャパシタの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
