特許
J-GLOBAL ID：200903070831107441
半導体装置におけるバリアメタル層の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-078147
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243179
出願日： 1992年02月29日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：
【要約】【目的】バリアメタル層形成原料が下地を浸食することを防止でき、しかも下地との間のコンタクト抵抗値のばらつきが少ないバリアメタル層の形成方法、あるいは又、高耐熱性を有するバリアメタル層の形成方法を提供する。【構成】バリアメタル層は、(イ)下地10上に形成された絶縁層12に開口部14を設けた後、絶縁層上及び開口部内にTiSiX層16をCVD法で形成し、(ロ)TiSiX層上にチタン層18をECR CVD法で形成し、(ハ)チタン層上にTiON層又は窒化チタン層20をCVD法で形成する工程、から形成される。あるいは又、(イ)絶縁層上及び開口部内に第1のチタン層をECRCVD法で形成し、(ロ)第1のチタン層上に窒化チタン層又はTiON層をCVD法で形成し、(ハ)窒化チタン層又はTiON層上に、第2のチタン層をECR CVD法で形成し、続いて、該第2のチタン層を窒化処理する工程、から形成される。
請求項（抜粋）：
(イ)下地上に形成された絶縁層に開口部を設けた後、該絶縁層上及び開口部内にTiSi<SB>X</SB>層(但し、0<X<2)をCVD法で形成する工程と、(ロ)該TiSi<SB>X</SB>層上にチタン層を電子サイクロトロン共鳴CVD法で形成する工程と、(ハ)該チタン層上にTiON層又は窒化チタン層をCVD法で形成する工程、から成ることを特徴とする、半導体装置におけるメタル配線のためのバリアメタル層の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/3205
, H01L 21/90
