特許

J-GLOBAL ID：200903070837444342

露光方法および露光装置

発明者： 大和 壮一 ,  大木 裕史 ,  渋谷 眞人 ,  岡本 和也
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 山口 孝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-219484
公開番号（公開出願番号）：特開平10-050591
出願日： 1996年08月01日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：

【要約】【課題】 投影光学系の解像限界を超える高解像度を実現することのできる露光方法および露光装置。【解決手段】 入射光量に応じて透過率が変化し且つ光の入射の停止から所定時間だけ経過した後に透過率がほぼ元の値に復元する特性を有する復活コントラスト増強層(3)をレジスト(2)上に形成し、第1回目の投影露光を行う。次いで、第1回目の投影露光から所定時間だけ経過した後に、第1回目の投影露光とは異なる光強度分布にしたがうパターンを投影露光する。

請求項（抜粋）：

原版のパターンを投影光学系を介して感光素材上に投影露光する露光方法において、入射光量に応じて透過率が変化し且つ光の入射の停止から所定時間だけ経過した後に透過率がほぼ元の値に復元する特性を有する復活コントラスト増強層を前記感光素材上に形成し、第1の光強度分布にしたがうパターンを前記復活コントラスト増強層を介して前記感光素材上に投影露光し、前記投影露光の終了から前記所定時間だけ経過した後に、前記第1の光強度分布とは異なる第2の光強度分布にしたがうパターンを前記復活コントラスト増強層を介して前記感光素材上に投影露光することによって、前記投影光学系の解像限界を超える高解像のパターンを前記感光素材上に形成することを特徴とする露光方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 9/00

FI (3件)：

H01L 21/30 502 C ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 9/00 H