特許
J-GLOBAL ID：200903070837733050
後方散乱電子を利用した表面分析方法およびその装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 友二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-100290
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275045
出願日： 1992年03月27日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：
【要約】【目的】 後方散乱電子を利用した表面分析方法の欠点であった低い入射電子エネルギーで分析を可能にし、高分解能な表面分析を可能とする。【構成】 同一分析点にエネルギーを変化させて入射させ、この入射電子エネルギーの変化で発生する後方散乱電子発生量の変化分を求めて出力する。この後方散乱電子発生量の変化分は低い入射電子エネルギー下でも原子番号に依存する。
請求項（抜粋）：
同一分析点に、入射電子エネルギーを変化させて電子線を入射させる段階、入射電子エネルギーの変化で発生する後方散乱電子発生量の変化分を求める段階、この後方散乱電子発生量の変化分が原子番号に依存することを利用して当該分析点の原子番号による差異を求める段階を備えたことを特徴とする後方散乱電子を利用した表面分析方法。
IPC (3件)：
H01J 37/256
, H01J 37/22
, H01J 37/244
