特許

J-GLOBAL ID：200903070841775507

ウェハ支持装置

発明者： 栗原 邦夫 ,  橋本 正幸
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-005715
公開番号（公開出願番号）：特開平9-205130
出願日： 1996年01月17日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：

【要約】【課題】 ウェハの表面だけでなく、裏面にも薄膜の形成やエッチング処置を施す。【解決手段】 半導体製造装置のプロセスチャンバ12内においてウェハ2をその下面から水平に支持するウェハ支持装置である。板状のサセプタ21は、ウェハ2の下方においてウェハ2と板面を平行にして配置され、上下に貫通する少なくとも3個の貫通孔25が形成されている。サセプタ21の各貫通孔25には、それぞれ軸方向に移動可能なリフトピン26が貫通されている。リフトピン26の上端には、ウェハ2とサセプタ21との間に隙間を形成してウェハ2を下面から支持する突起27が設けられている。これにより、反応ガスは、ウェハ2とサセプタ21との間にも流れ、ウェハ2の裏面にも薄膜が形成される。

請求項（抜粋）：

半導体製造装置のプロセスチャンバ内においてウェハをその下面から水平に支持するウェハ支持装置であって、前記ウェハの下方においてウェハと板面を平行にして配置され、上下に貫通する少なくとも3個の貫通孔が形成された板状のサセプタと、前記サセプタの前記各貫通孔をそれぞれ貫通するとともに、軸方向に移動可能なリフトピンと、前記リフトピンの上端に形成され、前記ウェハと前記サセプタとの間に隙間を形成して前記ウェハを下面から支持する突起を具備したことを特徴とするウェハ支持装置。

IPC (3件)：

H01L 21/68 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/68 N ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B