特許
J-GLOBAL ID：200903070845639705
半導体圧力センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-323682
公開番号（公開出願番号）：特開平5-133827
出願日： 1991年11月12日
公開日（公表日）： 1993年05月28日
要約：
【要約】【目的】ゲル状の物質からなる圧力媒体を介して感圧チップの裏面から圧力が与えられる場合の圧力測定に用いて、高い信頼性を得ることが可能な半導体圧力センサを提供する。【構成】ベース1上に台座2を介して感圧チップ3が設けられ、この感圧チップ3にリードワイヤ4を介して外部接続端子5が接続されている。ベース1および台座2には、導圧パイプ6に連通する圧力導入孔が形成されており、測定媒体を導入する導入路を形成している。感圧チップ3は、圧力に応じて変形するダイヤフラム部を形成しており、その表面にピエゾ抵抗ゲージが形成されている。主としてベース1および台座2に設けられた測定媒体の導入路を形成する貫通孔部分には、ゲル状のフルオロシリコーンすなわちフルオロシリコーンゲル8が設けられている。ベース1および台座2に設けられた圧力導入孔の寸法を、感圧チップ3の裏面の凹部の寸法と等しいかそれよりも大きく形成する。
請求項（抜粋）：
半導体チップの一方の面に凹部を形成して所定部分の肉厚を薄くすることにより圧力に応じて変形し得るダイヤフラム部が形成され且つ前記ダイヤフラム部の他方の面に歪みゲージが形成されてなる感圧チップの前記ダイヤフラム部の前記一方の面に測定媒体の圧力が印加される構造の半導体圧力センサにおいて、前記感圧チップを支持する部分の圧力導入孔の孔寸法を、前記ダイヤフラム部を形成する凹部の寸法以上に形成したことを特徴とする半導体圧力センサ。
引用特許：
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