特許

J-GLOBAL ID：200903070857768926

レジスト残渣除去装置及び除去方法

発明者： 村中 誠志 ,  菅野 至
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-002244
公開番号（公開出願番号）：特開2000-200744
出願日： 1999年01月07日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：

【要約】【課題】 Al配線の局部的なエッチングを抑制して配線の歩留りを向上し、Al配線の細りを抑制してAl配線の抵抗増加を抑制し、更にCuを含んだAl配線におけるCuの析出を抑制する。【解決手段】 半導体ウェハ上にアルミ配線を形成する際のレジスト残渣を、剥離液処理、水洗及び乾燥することにより除去するようにしたレジスト残渣除去装置であって、アルミ配線が露出した半導体ウェハを収容したチャンバーの雰囲気を、各ステップに対応して制御するようにした。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハ上にアルミ配線を形成する際のレジスト残渣を、剥離液処理、水洗及び乾燥することにより除去するようにしたレジスト残渣除去装置であって、アルミ配線が露出した半導体ウェハを収容したチャンバーの雰囲気を、上記半導体ウェハへの対処内容に応じて制御するようにしたことを特徴とするレジスト残渣除去装置。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 643 ,  H01L 21/306

FI (4件)：

H01L 21/30 572 B ,  H01L 21/304 643 Z ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/306 D

Fターム (15件)：

5F004AA08 ,  5F004AA09 ,  5F004AA14 ,  5F004BB18 ,  5F004EA10 ,  5F043AA24 ,  5F043BB27 ,  5F043CC16 ,  5F043DD10 ,  5F043DD30 ,  5F043EE07 ,  5F043EE32 ,  5F043EE40 ,  5F043GG02 ,  5F046MA05