特許

J-GLOBAL ID：200903070857790204

シリコン単結晶の製造方法

発明者： 飯野 栄一
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-191779
公開番号（公開出願番号）：特開平11-021196
出願日： 1997年07月02日
公開日（公表日）： 1999年01月26日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 シリコン融液と接触する石英ルツボ内表面の劣化、浸食や石英の剥離を抑制して石英ルツボの寿命を延ばし、ひいてはシリコン単結晶の育成時間を延長して長時間の安定操業と生産性の向上を図る。【解決手段】 石英ルツボ中に収容されたシリコン融液からチョクラルスキー法によりシリコン単結晶を製造する場合において、該シリコン融液中にCaOまたはBaOを0.01〜10wtppm添加してシリコン単結晶を育成するシリコン単結晶の製造方法。

請求項（抜粋）：

石英ルツボ中に収容されたシリコン融液からチョクラルスキー法によりシリコン単結晶を製造する場合において、該シリコン融液中にCaOまたはBaOを添加してシリコン単結晶を育成することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/06 502 ,  C30B 15/02 ,  C30B 15/10 ,  H01L 21/208

FI (4件)：

C30B 29/06 502 B ,  C30B 15/02 ,  C30B 15/10 ,  H01L 21/208 P

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 単結晶の無転位収量の改善方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-154337   出願人：エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド, ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ