特許

J-GLOBAL ID：200903070860156974

MSM型半導体受光素子

発明者： 山口 栄一
出願人/特許権者： 株式会社パウデック
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-209061
公開番号（公開出願番号）：特開2003-023175
出願日： 2001年07月10日
公開日（公表日）： 2003年01月24日
要約：

【要約】【課題】 この発明はMSM型半導体光検出装置の有効受光面積の増加と、発生した電子正孔対を効率よく分離し、受光装置の光検出感度を増加させるとともに、素子作製工程を簡素化させる素子の構造に関するものである。【解決手段】 サファイア基板4の上に順にGaN層32、高濃度n型AlxGa1-xN半導体より成るキャリア分離蓄積層31、低濃度n型AlyGa1-yN半導体より成る光吸収層30が形成されており、上面に面積の大きい透明ショットキ電極1、引き出し電極11、及びオーミック電極2が形成されており、このオーミック電極2は光吸収層30を介してキャリア分離蓄積層31と接触している。上面からの入射光5は光吸収層30の中に電子正孔対を発生させ、その内の一方のキャリアは分離蓄積層31に収集され、オーミック電極2を介して外部に取出される。

請求項（抜粋）：

同一伝導型の半導体層とショットキ電極とを含むMSM型半導体受光素子であって、光吸収層により生成した電子または正孔の一方のキャリアを上記他方のキャリアから分離蓄積させる領域を備え、この領域を経由して上記一方のキャリアが一方の電極に導通することを特徴としたMSM型半導体受光素子において、前記光吸収層の厚みLは、入射光強度Io, Lの距離の光強度をIとしたとき、I=Io exp(- aL)で定義される半導体の光吸収係数aに対して、a L =1以上10以下であることを特徴とするMSM型半導体受光素子。

IPC (2件)：

H01L 31/108 ,  H01L 29/872

FI (2件)：

H01L 31/10 C ,  H01L 29/48 H

Fターム (13件)：

4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104CC03 ,  4M104FF31 ,  4M104GG05 ,  5F049MA05 ,  5F049MB07 ,  5F049NA01 ,  5F049NA18 ,  5F049PA04 ,  5F049SE05 ,  5F049SS01