特許
J-GLOBAL ID:200903070860969223

チタン酸バリウム系半導体磁器用組成物

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 福田 武通 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-257484
公開番号(公開出願番号):特開平7-094020
出願日: 1993年09月22日
公開日(公表日): 1995年04月07日
要約:
【要約】【目的】 耐電圧特性に優れ、常温における比抵抗の小さい正の抵抗温度特性を有するチタン酸バリウム系半導体磁器製造用原料組成物を提供する。【構成】 主成分原料BaTiO3 、CaTiO3 、PbTiO3 、半導体化剤Na、Ta、Sb、W、Yの少なくとも一種の元素の化合物、更にTiO2 、Al2 O3 、SiO2 、マンガン化合物を特定量含む半導体磁器用原料組成物。
請求項(抜粋):
チタン酸バリウム系化合物の主成分に半導体化剤を添加させたチタン酸バリウム系半導体磁器用原料組成物において、主成分はBaTiO3 62〜90モル%、CaTiO3 7〜18モル%、PbTiO3 3〜20モル%なる組成物、又は該組成物形成用原料組成物であり、半導体化剤としてNa、Ta、Sb、W、Yのうちの少なくとも一種の元素の化合物を主成分100モル%に対して元素として0.18〜0.30モル%含有し、添加剤としてTiO2 を0.3〜1.0モル%、Al2 O3 を0.1〜2.0モル%、SiO2 を2.0〜5.0モル%、マンガン化合物をMn元素として0.02〜0.06モル%含有することを特徴とするチタン酸バリウム系半導体磁器用原料組成物。
IPC (4件):
H01B 3/12 303 ,  C01G 23/00 ,  C04B 35/46 ,  H01G 4/12 415

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