特許
J-GLOBAL ID：200903070861243960
バイポーラトランジスタとその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-193995
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031158
出願日： 1998年07月09日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：
【要約】【課題】 モノリシックに集積回路化されて高周波信号を増幅する差動増幅器を構成するに好適なヘテロ接合型バイポーラトランジスタを提供する。【解決手段】 半絶縁性GaAs基板10上に形成したn-GaAsコレクタ層13上にp+-GaAsベース層14を領域選択して形成し、更にその上にn-AlGaAsエミッタ層21を領域選択して形成する。そして上記エミッタ層の側部に形成される第1の絶縁層19を介して前記ベース層に連なるp+-GaAs層16を前記エミッタ層と同一高さに形成する。更にベース層の側部に形成する第2の絶縁層26により分離されて前記コレクタ層に連なるn-GaAs層24を前記エミッタ層と同一高さに形成し、コレクタ、ベース、エミッタの各電極形成位置を同一高さとしたプレーナ構造を実現する。
請求項（抜粋）：
III-V族化合物半導体からなるヘテロ接合型のバイポーラトランジスタであって、基板上に形成されてコレクタ層をなす第1の半導体層と、この第1の半導体層上に領域選択して形成されてベース層をなす第2の半導体層と、この第2の半導体層上に領域選択して形成されてエミッタ層をなす第3の半導体層と、この第3の半導体層の側部に形成された第1の絶縁層を介して該第3の半導体層と絶縁して前記第2の半導体層上に形成されて、該第2の半導体層がなすベース層を前記第3の半導体層の高さ位置まで拡張する第4の半導体層と、前記第2および第4の半導体層がなすベース層の側部に形成された第2の絶縁層を介して該ベース層と絶縁して前記第1の半導体層上に形成され、前記第1の半導体層がなすコレクタ層を前記第3の半導体層の高さ位置まで拡張する第5の半導体層とを具備したことを特徴とするバイポーラトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
5F003BA96
, 5F003BB08
, 5F003BF06
, 5F003BF90
, 5F003BG10
, 5F003BM03
, 5F003BP23
, 5F003BP33
