高誘電体薄膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小越勇 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-155979
公開番号（公開出願番号）：特開2000-345328
出願日： 1999年06月03日
公開日（公表日）： 2000年12月12日
要約：

【要約】【課題】シリコンウエハ上に形成された誘電体薄膜のパーティクル欠陥が少なく、且つ誘電特性の均一な膜を形成する。【解決手段】 (Pb<SB>1-x+y</SB>La<SB>x</SB>)(Zr<SB>z</SB>Ti<SB>l-z</SB>)<SB>(l-x)/4</SB>O<SB>3</SB>の化学式で表されるペロブスカイト型複合酸化物(0.06<x<0.12、0.01<y<0.1、0.6<z<0.8)からなり、相対密度が98%以上、平均粒径が10μm以下である高誘電体薄膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法。

請求項（抜粋）：

(Pb<SB>1-x+y</SB>La<SB>x</SB>)(Zr<SB>z</SB>Ti<SB>l-z</SB>)<SB>(l-x)</SB><SB>/4</SB>O<SB>3</SB>の化学式で表されるペロブスカイト型複合酸化物(0.06<x<0.12、0.01<y<0.1、0.6<z<0.8)からなり、相対密度が98%以上、平均粒径が10μm以下であることを特徴とする高誘電体薄膜形成用スパッタリングターゲット。

IPC (6件)：

C23C 14/34 , C23C 14/08 , H01L 21/316 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/203

FI (5件)：

C23C 14/34 A , C23C 14/08 K , H01L 21/316 Y , H01L 21/203 S , H01L 27/10 651

Fターム (23件)：

4K029BA50 , 4K029BD01 , 4K029DC05 , 4K029DC09 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BC04 , 5F058BC20 , 5F058BF12 , 5F058BF80 , 5F058BJ01 , 5F083AD00 , 5F083JA13 , 5F083PR22 , 5F103AA08 , 5F103BB22 , 5F103BB27 , 5F103DD30 , 5F103GG02 , 5F103HH03 , 5F103LL14 , 5F103RR05 , 5F103RR10

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