原料ガス供給装置および原料ガス供給方法および薄膜形成装置およびエピタキシャル成長装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：植本雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-085593
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289531
出願日： 2001年03月23日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：

【要約】【課題】短時間でバブラのキャリアガス流量が大きく変動してもバブラ内の圧力変動を抑制して、原料ガス供給量を一定に保つことの可能な原料ガス供給装置を提供する。【解決手段】流量制御回路10は、バブラ1にキャリアガスを供給するキャリアガスライン2のキャリアガス流量の変化に応じて、キャリアガスライン2のキャリアガス流量(バブラ1に供給するキャリアガス流量)と圧力制御ライン8のキャリアガス流量との和が一定となるように、圧力制御ライン8のキャリアガス流量(圧力制御ライン8のマスフローコントローラ9の流量)を制御するようになっている。

請求項（抜粋）：

液体または固体原料を収容するバブラと、バブラにキャリアガスを供給するラインと、バブラから原料ガスを含んだキャリアガスを取り出すラインと、バブラから原料ガスを含んだキャリアガスを取り出すラインに設けられ、原料ガスを含んだキャリアガスの圧力が一定となるように制御する圧力制御手段と、バブラから原料ガスを含んだキャリアガスを取り出すラインに、圧力制御手段の上流側で合流して別のキャリアガスを導入する圧力制御ラインと、流量制御手段とを備えており、流量制御手段は、バブラに供給するキャリアガス流量の変化に応じて、バブラに供給するキャリアガス流量と圧力制御ラインのキャリアガス流量との和が一定となるように圧力制御ラインのキャリアガス流量を制御するようになっていることを特徴とする原料ガス供給装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/455 , H01S 5/183

FI (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/455 , H01S 5/183

Fターム (38件)：

4K030AA11 , 4K030AA16 , 4K030BA02 , 4K030BA08 , 4K030BA25 , 4K030BA35 , 4K030BB01 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030EA01 , 4K030KA39 , 4K030KA41 , 4K030LA11 , 4K030LA14 , 5F045AA04 , 5F045AA05 , 5F045AB09 , 5F045AB10 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AB19 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC14 , 5F045AF04 , 5F045CA12 , 5F045EC07 , 5F045EE03 , 5F045EE04 , 5F045EE14 , 5F045EE17 , 5F045GB06 , 5F073AA51 , 5F073AA65 , 5F073AA74 , 5F073AB17 , 5F073CA17 , 5F073DA05

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