特許

J-GLOBAL ID：200903070862293758

不揮発性メモリ装置

発明者： 佐々木 敏夫 ,  田中 利広 ,  加藤 正高
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-043566
公開番号（公開出願番号）：特開平6-259320
出願日： 1993年03月04日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：

【要約】【目的】不揮発性メモリ装置の消去、書込み動作、すなわち書換え処理を効率よく低消費電力で高速化する。【構成】複数の不揮発性メモリセルの構成を含む複数のセクタから成る複数のメモリブロックと、該メモリブロックの各々に接続されて該メモリブロック内の1セクタと少なくとも同一メモリ容量を有するバッファメモリと、外部アドレスから各セクタを選択する内部アドレスを生成し該内部アドレスに対応する各セクタと該セクタに対応する上記バッファメモリとの間における情報の読出しと書換えの制御を行うリードライト回路を有する不揮発性メモリ装置において、上記リードライト回路が、上記メモリブロック内の少なくとも1つのセクタを単位として、上記各メモリブロックの個々のセクタの活性を時間的にシフトしつつ選択する手段と、その選択したセクタに対して情報の書換えのための情報の消去もしくは書込みをする手段を備える。

請求項（抜粋）：

複数の不揮発性メモリセルの構成を含む複数のセクタから成る複数のメモリブロックと、該メモリブロックの各々に接続されて該メモリブロック内の1セクタと少なくとも同一メモリ容量を有するバッファメモリと、少なくとも外部アドレスから各セクタを選択する内部アドレスを生成し該内部アドレスに対応する各セクタと該セクタに対応する上記バッファメモリとの間における情報の読出しと書換えの制御を行うリードライト回路を有する不揮発性メモリ装置において、上記リードライト回路が、上記メモリブロック内の少なくとも1つのセクタを単位として、上記各メモリブロックの個々のセクタの活性を時間的にシフトしつつ選択する手段と、その選択したセクタに対して情報の書換えのための情報の消去もしくは書込みをする手段を備えることを特徴とする不揮発性メモリ装置。

IPC (2件)：

G06F 12/06 530 ,  G11C 16/06

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-292798
  
• 特開昭63-081660
  
• 特開昭54-148439
  
• 特開昭58-096343