特許

J-GLOBAL ID：200903070865658714

半導体装置の製造方法

発明者： 平田 勝弘
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-331844
公開番号（公開出願番号）：特開平5-166746
出願日： 1991年12月16日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：

【要約】【目的】 微細パターンに対応する高エネルギーのイオン注入を可能とする。【構成】 シリコン基体1内に不純物を注入して不純物注入領域5を形成するイオン注入マスクとしてシリコン基体1上に高融点金属膜3をスパッタ法またはCVD法により堆積して形成される高融点金属パターン3Aを用いる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にイオン注入マスクを形成し、この半導体基板内に不純物注入を行う半導体装置を製造方法において、前記イオン注入マスクとして高融点金属膜または高融点金属珪化物膜からなるマスクパターンを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。