特許

J-GLOBAL ID：200903070868386090

光電変換機能素子

発明者： 佐藤 賢次 ,  花房 幹夫
出願人/特許権者： 株式会社ジャパンエナジー
代理人 (1件)： 荒船 博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-029150
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228541
出願日： 1999年02月05日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：

【要約】【課題】 周期表第12(2B)族元素及び第16(6B)族元素からなる化合物半導体結晶基板を用い、熱拡散によりpn接合を形成して作製される光電変換機能素子を提供する。【解決手段】 周期表第12(2B)族元素及び第16(6B)族元素からなる化合物半導体結晶基板を用いる光電変換機能素子において、転位および欠陥密度が低い基板(p型ZnTe単結晶基板1)を用いるとともに、当該基板の導電型とは異なる導電型を示す拡散源(Al2)の熱拡散により、上記基板の表面付近にpn接合(pn接合界面4,発光領域a1,a2)を形成した。

請求項（抜粋）：

周期表第12(2B)族元素及び第16(6B)族元素からなる化合物半導体結晶基板を用いる光電変換機能素子において、転位および欠陥密度が低い基板を用いるとともに、当該基板の導電型とは異なる導電型を示す拡散源の熱拡散により、上記基板の表面付近にpn接合を形成したことを特徴とする光電変換機能素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/225 ,  H01L 21/385

FI (3件)：

H01L 33/00 D ,  H01L 21/225 M ,  H01L 21/385

Fターム (10件)：

5F041AA03 ,  5F041AA12 ,  5F041CA41 ,  5F041CA43 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA72 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA83