特許

J-GLOBAL ID：200903070871407677

気相反応装置

発明者： 大山 勝美 ,  蜂谷 昌幸
出願人/特許権者： 日立電子エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 梶山 佶是 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-300286
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139037
出願日： 1994年11月09日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：

【要約】【目的】 電界集中の発生し難い下部電極を有する気相反応装置を提供する。【構成】 反応炉を有し、該反応炉内に、高周波電源に接続された上部電極と、上面に基板が載置されるサセプタを有し、プラズマにより成膜処理を行う気相反応装置において、前記サセプタは、載置される基板の直径よりも大きな内径の表面が円形の凹陥部を有することを特徴とする気相反応装置

請求項（抜粋）：

反応炉を有し、該反応炉内に、高周波電源に接続された上部電極と、上面に基板が載置されるサセプタを有し、プラズマにより成膜処理を行う気相反応装置において、前記サセプタは、載置される基板の直径よりも大きな内径の表面が円形の凹陥部を有することを特徴とする気相反応装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/50

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-140085
  
• 特開平4-022122