特許
J-GLOBAL ID：200903070874739573
イオン伝導体用基材およびイオン伝導体
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-206506
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054151
出願日： 1997年07月31日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：
【要約】【課題】 シングルイオン伝導性室温域でのイオン伝導度を高めたイオン伝導体用基材およびイオン伝導体を供給する。【解決手段】 このイオン伝導用基材はイオン伝導にたずさわるイオン伝導分子と該イオン伝導分子に結合されイオン伝導用電解質塩のアニオンを捕捉するポロキシンリングとを持つ。ポロキシンリングは、トリアルコキシポロキシンが、イオン伝導分子はエーテル鎖を持つ分子であることが好ましい。イオン伝導体はこのイオン伝導体用基材に電解質塩を組み合わせたもので、そのアニオンがポロキシリングに固定され、カチオンのみが輸送される。
請求項（抜粋）：
イオン伝導にたずさわるイオン伝導分子と該イオン伝導分子に結合されイオン伝導用電解質塩のアニオンを捕捉するボロキシンリングとを持つことを特徴とするイオン伝導体用基材。
IPC (5件)：
H01M 10/40
, C07F 5/05
, C08G 65/28
, C08G 79/08
, H01M 6/18
H01M 10/40 B
, C07F 5/05
, C08G 65/28
, C08G 79/08
, H01M 6/18 E
