特許

J-GLOBAL ID：200903070875988801

半導体装置とそのめっき方法

発明者： 西川 秀幸
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 畑 泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-228442
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053211
出願日： 1999年08月12日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：

【要約】【課題】 半田濡れ性及び耐クラック性を共に良好にした半導体装置を提供する。【解決手段】 外部リードの表面に錫ビスマス合金めっきを施した半導体装置であって、前記外部リード1の表面に第1の錫ビスマス合金めっき層2を形成し、このめっき層2上に第2の錫ビスマス合金めっき層3を形成し、前記第1の錫ビスマス合金めっき層2のビスマスの組成比と第2の錫ビスマス合金めっき層3のビスマスの組成比とが異なるように構成したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

リードフレームの表面に錫ビスマス合金めっきを施した半導体装置であって、前記リードフレームの表面に第1の錫ビスマス合金めっき層を形成し、このめっき層上に第2の錫ビスマス合金めっき層を形成し、前記第1の錫ビスマス合金めっき層のビスマスの組成比と第2の錫ビスマス合金めっき層のビスマスの組成比とが異なるように構成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/50 ,  C25D 5/10 ,  C25D 7/12

FI (3件)：

H01L 23/50 D ,  C25D 5/10 ,  C25D 7/12

Fターム (12件)：

4K024AA15 ,  4K024AA21 ,  4K024AB02 ,  4K024BA02 ,  4K024BA09 ,  4K024BB13 ,  4K024CA06 ,  4K024GA01 ,  4K024GA14 ,  5F067AA13 ,  5F067DC12 ,  5F067DC18