特許
J-GLOBAL ID：200903070879205267
光起電力素子及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-177441
公開番号（公開出願番号）：特開平9-027632
出願日： 1995年07月13日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 新しいドーピング層の構造及び形成方法を導入することによって、実用に適した低コストで、信頼性が高く、かつ、光電変換効率の高い光起電力素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 p型半導体層105及びn型半導体層103からなる2つのドーピング層が、i型半導体層104を介して積層されたpin型の半導体接合をなす構造体を有し、かつ、少なくともi型半導体層の上に位置するドーピング層Dの結晶形態が非結晶質である光起電力素子の製造方法において、ドーピング層Dのバンドギャップを拡大する元素をα、ドーピング層Dと同型の価電子制御剤をβとしたとき、i型半導体層の上にドーピング層Dを形成した後、ドーピング層Dの表面を、α及びβを含むプラズマに曝す。
請求項（抜粋）：
p型半導体層及びn型半導体層からなる2つのドーピング層が、i型半導体層を介して積層されたpin型の半導体接合をなす構造体を有し、かつ、少なくとも前記i型半導体層の上に位置する前記ドーピング層Dの結晶形態が非単結晶である光起電力素子の製造方法において、前記ドーピング層Dのバンドギャップを拡大する元素をα、前記ドーピング層Dと同型の価電子制御剤をβとしたとき、前記i型半導体層の上に前記ドーピング層Dを形成した後、前記ドーピング層Dの表面を、前記α及び前記βを含むプラズマに曝すことを特徴とする光起電力素子の製造方法。
FI (2件)：
H01L 31/04 N
, H01L 31/04 W
