特許

J-GLOBAL ID：200903070888334371

半導体装置

発明者： 野 田 昇
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-316118
公開番号（公開出願番号）：特開2000-151306
出願日： 1998年11月06日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】 本発明は帰還ループを形成しないようにした多層基板使用の半導体装置にかかるものである。【解決手段】 本発明は高周波ストリップライン層18および表面グランド層19に高周波回路RFCを形成し、その高周波回路RFCのコンデンサ等を表面グランド層19を介して接地する真性グランド層15を形成する多層基板11を備えた半導体装置30において、多層基板11中に形成され高周波ストリップライン層18に対として配置する中間グランド層31と、この中間グランド層31と表面グランド層19とを遮断する遮断手段32とを備えたものである。

請求項（抜粋）：

高周波ストリップライン層および表面グランド層に高周波回路を形成し、その高周波回路のコンデンサ等を表面グランド層を介して接地する真性グランド層を形成する多層基板を備えた半導体装置において、多層基板中に形成され高周波ストリップライン層に対として配置する中間グランド層と、この中間グランド層と表面グランド層との帰還ループを遮断する遮断手段と、を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H03F 3/60 ,  H01L 23/12 301 ,  H03F 1/08 ,  H05K 3/46

FI (5件)：

H03F 3/60 ,  H01L 23/12 301 C ,  H03F 1/08 ,  H05K 3/46 Q ,  H05K 3/46 Z

Fターム (29件)：

5E346BB16 ,  5E346FF45 ,  5E346HH06 ,  5J067AA01 ,  5J067AA04 ,  5J067CA54 ,  5J067FA16 ,  5J067HA10 ,  5J067HA25 ,  5J067HA29 ,  5J067HA33 ,  5J067KA68 ,  5J067LS11 ,  5J067MA11 ,  5J067QA04 ,  5J067QS05 ,  5J067SA13 ,  5J092AA01 ,  5J092AA04 ,  5J092CA54 ,  5J092FA16 ,  5J092HA10 ,  5J092HA25 ,  5J092HA29 ,  5J092HA33 ,  5J092KA68 ,  5J092MA11 ,  5J092QA04 ,  5J092SA13