クラスレート結晶構造シリコン材料とその製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：穂上照忠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-063851
公開番号（公開出願番号）：特開2000-256093
出願日： 1999年03月10日
公開日（公表日）： 2000年09月19日
要約：

【要約】【課題】他の元素を含まないシリコン原子のみからなるクラスレート結晶とその製造方法の提供【解決手段】(1)シリコン原子の包接格子であるSi46の単位結晶格子と、同じく包接格子であるSi136の単位結晶格子とが混在したシリコン原子のみからなる複合結晶構造のシリコン材料。(2)シリコンのクラスレート化合物結晶の上にアモルファスシリコン層を形成させ、これを加熱してエピタキシャル成長させる上記(1)のシリコン材料の製造方法。(3)BaxRySi46-y(ここで、x=1〜8、y=1〜6、RはAgまたはAu)の化合物クラスレート結晶の上に、450°C以下の温度にてイオンビームスパッタリング法でアモルファスシリコンを成膜した後、真空または不活性雰囲気中にて、450°C超1300°C以下の温度に加熱してエピタキシャル成長させる上記(2)のシリコン材料の製造方法。

請求項（抜粋）：

シリコン原子の包接格子であるSi20とSi24とで構成されるSi46の単位結晶格子と、同じく包接格子であるSi20とSi28とで構成されるSi136の単位結晶格子とが混在した複合結晶構造のシリコン材料。

IPC (5件)：

C30B 29/06 , C30B 29/06 504 , C01B 33/02 , C23C 14/14 , C23C 14/46

FI (5件)：

C30B 29/06 A , C30B 29/06 504 K , C01B 33/02 D , C23C 14/14 A , C23C 14/46 Z

Fターム (22件)：

4G072AA01 , 4G072AA20 , 4G072BB09 , 4G072FF09 , 4G072GG01 , 4G072GG03 , 4G072HH01 , 4G072HH02 , 4G072NN11 , 4G072NN24 , 4G072UU01 , 4G077AA03 , 4G077BA04 , 4G077DA03 , 4G077DA11 , 4G077DA15 , 4G077ED01 , 4G077HA06 , 4K029AA06 , 4K029BA35 , 4K029BB02 , 4K029CA08

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