特許
J-GLOBAL ID：200903070893386983
配向性ダイヤモンド膜及びその形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-190904
公開番号（公開出願番号）：特開平6-172088
出願日： 1993年07月02日
公開日（公表日）： 1994年06月21日
要約：
【要約】【目的】 シリコンウェハ上に配向性ダイヤモンド膜を高い再現性で形成することができ、高品質のダイヤモンド膜を容易に形成することを可能とする。【構成】 単結晶シリコン基板表面を炭素含有プラズマに曝して前処理し、基板表面上の核生成の完了をモニターしながら、この前処理した表面にバイアスを印加して、配向性ダイヤモンド結晶を成長させるための基板表面の核生成を行う。そして、炭素含有プラズマから核生成した表面に結晶ダイヤモンドを蒸着させる。これにより、単結晶シリコン基板上に配向性ダイヤモンド膜を形成する。その結果、実質的に均一なタイル張り状のパターンを形成する配向性の柱状ダイヤモンド結晶を特徴とするシリコン基板上の結晶ダイヤモンド膜からなる構造が得られる。実際には、通常この柱状の結晶は一般に四辺形で、その両辺が相互に整合している。
請求項（抜粋）：
単結晶シリコン基板表面を炭素含有プラズマに曝して前処理し、前記基板表面上の核生成の完了をモニターしながらこの前処理した表面に電気的バイアスを印加して、配向性ダイヤモンド結晶を成長させるための基板表面の核形成を行い、炭素含有プラズマから核生成した表面上に結晶ダイヤモンドを蒸着させて単結晶シリコン基板上に配向性ダイヤモンド膜を形成することを特徴とする配向性ダイヤモンド膜の形成方法。
IPC (3件)：
C30B 29/04
, C30B 25/02
, H01L 21/203
