特許
J-GLOBAL ID：200903070893740280
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-324506
公開番号（公開出願番号）：特開平6-176589
出願日： 1992年12月03日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：
【要約】【構成】 一連のリコールモードやストアモードの回数をカウントするリコール用カウンタ13及びストア用カウンタ15と、これらのカウント値がワード線WLの本数分の回数を超えるとリコールモードやストアモードの制御の実行を禁止する第1スイッチ回路14及び第2スイッチ回路16を設けた。【効果】 プログラムのバグや暴走等による無駄なリコールやストアが禁止されるので、強誘電体の分極反転が不必要に繰り返され、メモリセル4の寿命が予期せず短縮されるということがなくなる。
請求項（抜粋）：
容量素子に介在させた強誘電体の分極作用に基づいてメモリセルに不揮発性のデータを記憶し、該容量素子の一方の端子に電圧を印加した際に、該容量素子の他方の端子に強誘電体の分極状態に応じて生じる電位を検出することにより、該データのリコールを行う不揮発性半導体記憶装置であって、一連のリコール動作の回数を計数し、この計数値を外部からの信号に応じてリセットする計数手段と、該計数手段の計数値が所定値を超えたときに、リコール動作を禁止する手段とを備えている不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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