特許
J-GLOBAL ID：200903070898224086
半導体用セラミックパッケージ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉村 博文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-019836
公開番号（公開出願番号）：特開平8-191112
出願日： 1995年01月11日
公開日（公表日）： 1996年07月23日
要約：
【要約】【目的】 誘電体層がモリブデン等の高誘電率材料を含有するパッケージであって、パッケージを製造する工程での焼成収縮のバランスを取り、反りを調整できる半導体用セラミックパッケージを提供する。【構成】 コンデンサを形成する内部電極を備え、高誘電率材料を含有する誘電体層と、絶縁体層と、コンデンサを絶縁体層の最上部に導く導体、および導体配線層を有する半導体用セラミックパッケージにおいて、内部電極の導体粒子が、導体配線層の導体粒子の平均粒径より大きい平均粒径からなる構成よりなる。
請求項（抜粋）：
コンデンサを形成する内部電極を備え、高誘電率材料を含有する誘電体層と、絶縁体層と、該コンデンサを該絶縁体層の最上部に導く導体、および導体配線層を有する半導体用セラミックパッケージにおいて、該内部電極の導体粒子が、前記導体配線層の導体粒子の平均粒径より大きい平均粒径からなることを特徴とする半導体用セラミックパッケージ。
IPC (3件)：
H01L 23/08
, H01L 27/04
, H01L 21/822
