特許

J-GLOBAL ID：200903070905985454

半導体結晶表面の形成方法

発明者： 井手 隆
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-276579
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130663
出願日： 1993年11月05日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】 SiまたはGe(100)結晶表面のドメイン構造を単一化する。【構成】 正確な(100)面からわずかに傾いた清浄なSi結晶表面は、通常二つの方位のドメイン(2×1構造と1×2構造)が混在している。蒸発しない程度の温度(600°C程度)に保ち、5分間、1×10- 6 Paの砒素雰囲気で表面上に砒素を原子層一層分飽和吸着させた。するとドメイン構造が2×1の一種類だけになる。その上にGaAsなどの化合物半導体結晶を成長すると成長結晶も単一ドメインになる。吸着原子はアンチモンでもよい。

請求項（抜粋）：

シリコン(Si)またはゲルマニウム(Ge)結晶の(100)表面上のドメイン構造を単一ドメイン化するにあたり、これら表面上に原子層一層程度分の砒素(As)あるいはアンチモン(Sb)を、表面からこれら原子が蒸発しない温度で、吸着させることを特徴とした半導体結晶表面の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/18

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭61-253819
  
• 特開昭63-232313