特許
J-GLOBAL ID：200903070908107466
超短光パルスによりガラス中に作製した三次元光メモリー素子のデータの書き換え方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-145922
公開番号（公開出願番号）：特開2001-332092
出願日： 2000年05月18日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
要約：
【要約】【課題】 生成したビットを移動できるようになし、書き換えを可能にした、超短光パルスによりガラス中に作製した三次元光メモリー素子のデータの書き換え方法を提供する。【解決手段】 超短光パルスによりガラス18中に作製した三次元光メモリー素子のデータの書き換え方法において、第1の超短パルスレーザー光強度によりガラス18内部に光誘起屈折率変化によるビット23を三次元的に生成させ、この三次元に生成させたビット22を前記第1の超短パルスレーザー光強度より低いエネルギーの第2の超短パルスレーザー光を照射し、このレーザー光を集光用レンズ17で集光させる際、移動させるビット23より、レーザー光の伝搬方向とは逆の方向に所定距離ずらした点に集光することで前記ビット23を移動させ、ビットの書き換えを行う。
請求項（抜粋）：
(a)第1の超短パルスレーザー光強度によりガラス内部に光誘起屈折率変化によるビットを三次元的に生成させ、(b)該三次元に生成させたビットを前記第1の超短パルスレーザー光強度より低いエネルギーの第2の超短パルスレーザー光を照射し、該レーザー光を光学レンズで集光させる際、移動させるビットより、レーザー光の伝搬方向とは逆の方向に所定距離ずらした点に集光することで前記ビットを移動させ、ビットの書き換えを行うことを特徴とする超短光パルスによりガラス中に作製した三次元光メモリー素子のデータの書き換え方法。
IPC (3件)：
G11C 13/04
, G02F 1/35
, G11C 17/00 580
G11C 13/04 Z
, G02F 1/35
, G11C 17/00 580 D
2K002AA01
, 2K002AB29
, 2K002BA01
, 2K002CA15
, 2K002DA01
, 2K002HA26
, 5B003AA09
, 5B003AC02
, 5B003AC04
, 5B003AD03
