特許

J-GLOBAL ID：200903070913668441

光ディスク基板

発明者： 上田 昌哉 ,  丸山 博義
出願人/特許権者： 三菱エンジニアリングプラスチックス株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-163516
公開番号（公開出願番号）：特開2000-353339
出願日： 1999年06月10日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
要約：

【要約】【課題】信号の転写性が良好で、基板のそりが少なく、かつ、基板の垂直方向屈折率差が小さい、光ディスク基板の提供。【解決手段】下記式(1)のカーボネート結合単位の少なくとも1種及び下記式(2)のカーボネート結合単位【化1】(式中、Rは、炭素数1〜3のアルキル基又はフェニル基である。)を、全カーボネート結合単位中、式(1)の結合単位の含有率が20〜80モル%となる割合で、含むポリカーボネート共重合体又は重合体混合物であり、粘度平均分子量が10,000〜18,000であり、炭素数10〜20のアルキル基を有するアルキルフェノールで分子末端が封止されており、かつ、ガラス転移温度が100°C〜140°Cであるポリカーボネートを用いて成形されたことを特徴とする光ディスク基板。

請求項（抜粋）：

下記式(1)のカーボネート結合単位の少なくとも1種及び下記式(2)のカーボネート結合単位【化1】(式中、Rは、炭素数1〜3のアルキル基又はフェニル基である。)を、全カーボネート結合単位中、式(1)の結合単位の含有率が20〜80モル%となる割合で、含むポリカーボネート共重合体又は重合体混合物であり、粘度平均分子量が10,000〜23,000であり、炭素数10〜20のアルキル基を有するアルキルフェノールで分子末端が封止されており、かつ、ガラス転移温度が100°C〜140°Cであるポリカーボネートを用いて成形されたことを特徴とする光ディスク基板。

IPC (4件)：

G11B 7/24 526 ,  G11B 7/24 ,  G11B 7/24 561 ,  C08G 64/06

FI (4件)：

G11B 7/24 526 G ,  G11B 7/24 526 Z ,  G11B 7/24 561 M ,  C08G 64/06

Fターム (20件)：

4J029AA09 ,  4J029AB07 ,  4J029AC02 ,  4J029AD01 ,  4J029AD07 ,  4J029AE05 ,  4J029BB12C ,  4J029BB13A ,  4J029HA01 ,  4J029HC01 ,  4J029HC05A ,  4J029JB192 ,  5D029KA07 ,  5D029KB03 ,  5D029KC07 ,  5D029KC11 ,  5D029WB11 ,  5D029WB17 ,  5D029WC01 ,  5D029WD10