特許
J-GLOBAL ID：200903070916363552
パワー半導体素子用基板とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高崎 芳紘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-002066
公開番号（公開出願番号）：特開平8-191120
出願日： 1995年01月10日
公開日（公表日）： 1996年07月23日
要約：
【要約】【目的】 パワー半導体素子搭載用の基板とその製造方法に関し、熱歪の少ない状態で高い熱伝導性と接着性を有し、量産性、軽量化に優れたパワー半導体素子用基板の提供を目的とする。【構成】 アルミニュームマトリクスにSiCを分散して成る組成のベースと、このベースに自由表面がパワー半導体素子装荷側でベースと同一平面になる如くして埋め込まれた素子搭載用のAlNチップとを含むパワー半導体素子用基板。予め形成されたモールドの所定位置にAlNチップを載置しておき、射出成型法を利用してベースを形成すると共にAlNチップを前記露出面を残してベース内に埋め込んで製造する。
請求項（抜粋）：
アルミニュームを主成分とする金属マトリクスにSiCを分散して成るベースと、該ベースのデバイス装荷側表面近傍に露出面が該デバイス装荷側表面と同一平面上に在る如くして埋め込まれた島状の窒化アルミニューム(AlN)から成る素子搭載チップと、を含むパワー半導体素子用基板。
IPC (4件)：
H01L 23/373
, H01L 23/12
, H01L 23/473
, H05K 1/02
H01L 23/36 M
, H01L 23/12 J
, H01L 23/46 Z
