特許

J-GLOBAL ID：200903070917051236

素子分離方法

発明者： 佐野 純一
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-043678
公開番号（公開出願番号）：特開平9-237784
出願日： 1996年02月29日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：

【要約】【課題】 Si膜の表面を酸化して、Si膜の深さ方向に厚い熱酸化によるパイロ酸化膜を形成する場合に生じる長い熱酸化時間を低減する。【解決手段】 Si膜1上にパッド酸化膜2、酸化抑止膜3の順序に形成する工程と、パッド酸化膜2上に形成されている酸化抑止膜3を所定形状にパターニングした後、フッ素7を所定形状の酸化抑止膜5以外の領域のSi膜1にイオン注入する工程と、注入されたフッ素を含むSi膜をパイロ酸化する工程とにより、従来と比べてパイロ酸化時間を半減させる。

請求項（抜粋）：

Si製LSIのLOCOSによる素子分離方法において、Si膜上に酸化抑止膜を形成する工程と、酸化抑止膜を所定形状にパターニングした後、フッ素を所定形状の酸化抑止膜以外の領域のSi膜にイオン注入する工程と、注入されたフッ素を含むSi膜をパイロ酸化する工程とを備えることを特徴とする素子分離方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/76

FI (3件)：

H01L 21/94 A ,  H01L 21/265 W ,  H01L 21/76 M