特許
J-GLOBAL ID:200903070920551282

透明導電膜及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 泉名 謙治
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-285443
公開番号(公開出願番号):特開平6-119816
出願日: 1992年09月30日
公開日(公表日): 1994年04月28日
要約:
【要約】【構成】全固形分量に対し、酸化物換算で、SnO2 :SbまたはIn2 O3 :Snの微粒子を50〜95重量%、粒径50Å以上のシリカ微粒子1〜40重量%、粒径50Å未満のシリカ微粒子1〜40重量%、In化合物を2〜50重量%、それぞれ含む液を塗布、加熱する。【効果】高強度を有する透明導電膜を製造する。
請求項(抜粋):
SbをドープしたSnO2 微粒子及びSnをドープしたIn2 O3 微粒子のうち少なくとも1種を合計で全固形分量に対し、酸化物換算で50重量%以上95重量%以下、粒径50Å以上のシリカ微粒子或いはその重合体を含むシリカゾルを全固形分量に対し酸化物換算で1重量%以上40重量%以下、粒径50Å未満のシリカ微粒子或いはその重合体を含むシリカゾルを全固形分量に対し酸化物換算で1重量%以上40重量%以下、In化合物を全固形分量に対し酸化物換算で2重量%以上50重量%以下、それぞれ含む溶液を基体上に塗布した後、加熱かつ/または紫外線を照射することにより得られることを特徴とする透明導電膜。
IPC (5件):
H01B 5/14 ,  H01B 13/00 503 ,  H01J 9/20 ,  H01J 29/88 ,  H01J 29/89

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