特許

J-GLOBAL ID：200903070922080708

半導体ウェーハ処理の監視方法及び装置

発明者： スティーヴ クロッカー
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 中村 稔 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-403788
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267306
出願日： 2000年12月01日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：

【要約】【課題】 プラズマの存在を検出するための方法及び装置を提供する。【解決手段】 装置は、例えば半導体ウェーハ処理チャンバ116内のプラズマ形成領域に曝され、電気的に浮いているコンタクト部材を備えている。この浮遊コンタクトは、測定デバイス164に結合されている。プラズマ形成領域内にプラズマ177が存在する場合には、プラズマが浮遊コンタクト162上に電圧を誘起させ、この電圧が測定デバイスによって検出される。

請求項（抜粋）：

プラズマ処理チャンバ内のプラズマを検出するための装置であって、上記プラズマに曝された時に電位が変化するように電気的に浮いているコンタクトと、上記浮遊コンタクトに結合されている測定デバイスと、を備えていることを特徴とする装置。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 14/52 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68

FI (5件)：

C23C 14/52 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68 R ,  H01L 21/302 E