特許
J-GLOBAL ID：200903070922874615
太陽電池の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-036446
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235387
出願日： 1992年02月24日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【目的】 太陽電池に於て用いられる金属ペーストから成る表面電極と、半導体基板との密着性を向上し得る太陽電池の製造方法を提供することにある。【構成】 半導体基板(2)の光入射面の表面に形成された反射防止膜(4)に開口部(5)を設け、斯る部分に金属ペーストからなる表面電極(6)を形成し焼成した後、、メッキを施すことによりその表面電極(6)に金属薄膜(9)を付着せしめることにある。
請求項（抜粋）：
光起電力機能を有する半導体接合を備えた半導体基板の光入射面に反射防止膜を形成する工程と、前記反射防止膜に開口部を形成する工程と、前記開口部に金属ペーストから成る表面電極をパターン形成する工程と、前記表面電極を焼成処理する工程と、該表面電極にメッキ法による金属薄膜を付着せしめる工程と、からなることを特徴とする太陽電池の製造方法。
引用特許：
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