特許

J-GLOBAL ID：200903070926571170

薄膜NTCサーミスタ素子およびその製造方法

発明者： 藤井 映志 ,  鳥井 秀雄 ,  友澤 淳
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-161903
公開番号（公開出願番号）：特開2000-348911
出願日： 1999年06月09日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【課題】 NTCサーミスタ素子の小型化および抵抗値やB定数の高精度化を実現する。【解決手段】 アルミナから成る下地基板11上に、希土類遷移金属系酸化物のサーミスタ薄膜12と、Pt薄膜から成るくし形電極対13,14とが形成されて成っている。Ptくし形電極には抵抗値調整のためのトリミング部13b、14bを有する。

請求項（抜粋）：

希土類遷移金属酸化物からなるNTCサーミスタ薄膜と、前記NTCサーミスタ薄膜上に設けられた電極対からなる薄膜NTCサーミスタ素子。

IPC (3件)：

H01C 7/04 ,  C23C 14/34 ,  H01C 17/242

FI (3件)：

H01C 7/04 ,  C23C 14/34 A ,  H01C 17/24 L

Fターム (23件)：

4K029BA50 ,  4K029BB07 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC16 ,  5E032AB01 ,  5E032BA15 ,  5E032BB10 ,  5E032CA00 ,  5E032CC08 ,  5E032CC14 ,  5E032TA03 ,  5E032TA17 ,  5E032TB02 ,  5E034BA09 ,  5E034BB08 ,  5E034BC01 ,  5E034DA03 ,  5E034DC05 ,  5E034DE14 ,  5E034DE16