特許
J-GLOBAL ID：200903070928083121
パターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-186952
公開番号（公開出願番号）：特開平11-072928
出願日： 1998年06月17日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：
【要約】【解決手段】 基板上に、酸不安定基を有し、酸によりこの酸不安定基が脱離することによってアルカリ可溶性を示すベース樹脂と、光又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤と、塩基性化合物と、これらの成分を溶解する有機溶剤とを含む化学増幅ポジ型レジスト材料を塗布し、必要によりプリベークした後、露光し、次いでポストエクスポジュアーベークし、アルカリ水溶液で現像して、上記基板上にポジ型パターンを形成する方法において、上記ポストエクスポジュアーベークを15〜30°Cにおける関係温度が30%以上の環境でホットプレート上、70〜140°Cで30〜200秒間行うようにしたことを特徴とするパターン形成方法。【効果】 本発明によれば、アセタールの脱離反応を促進させ、パターンを安定して得ることができる。
請求項（抜粋）：
基板上に、酸不安定基を有し、酸によりこの酸不安定基が脱離することによってアルカリ可溶性を示すベース樹脂と、光又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤と、塩基性化合物と、これらの成分を溶解する有機溶剤とを含む化学増幅ポジ型レジスト材料を塗布し、必要によりプリベークした後、露光し、次いでポストエクスポジュアーベークし、アルカリ水溶液で現像して、上記基板上にポジ型パターンを形成する方法において、上記ポストエクスポジュアーベークを15〜30°Cにおける関係湿度が30%以上の環境でホットプレート上、70〜140°Cで30〜200秒間行うようにしたことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (4件)：
G03F 7/38 511
, G03F 7/004 501
, G03F 7/039 601
, H01L 21/027
G03F 7/38 511
, G03F 7/004 501
, G03F 7/039 601
, H01L 21/30 502 R
, H01L 21/30 566
