特許
J-GLOBAL ID：200903070928160657
磁気抵抗効果素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-341345
公開番号（公開出願番号）：特開2000-173021
出願日： 1998年12月01日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：
【要約】【課題】強磁性膜間に作用する層間結合磁界を容易に制御することが可能な磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】非磁性膜によって隔てられ、少なくても2層以上の強磁性膜を有する磁気抵抗効果膜と、基板との間に、下地層として、Ru,Rh,Pd,Ag,Os,Ir,Pt,Auのうち少なくとも1種類以上の元素を含有するMn系合金膜を設ける。これによって、磁性層間の強磁性的な静磁結合を抑制することが可能になる。
請求項（抜粋）：
強磁性膜と非磁性膜を交互に積層してなり、少なくても強磁性膜を2層以上有する磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜における抵抗変化を検出するための一対の電極とを有する磁気抵抗効果素子において、基板と該磁気抵抗効果膜の間に、下地膜として、Ru,Rh,Pd,Ag,Os,Ir,Pt,Auのうち少なくとも1種類以上の元素を含有するMn系合金膜を設けたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
Fターム (3件)：
5D034BA04
, 5D034BA21
, 5D034CA08
