特許

J-GLOBAL ID：200903070929238200

化合物半導体装置及びその製造方法

発明者： 本山 慎一
出願人/特許権者： 株式会社アドバンテスト
代理人 (1件)： 龍華 明裕
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-282128
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102632
出願日： 1999年10月01日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】作成の容易な化合物半導体装置及びその製造方法を提供する【解決手段】化合物半導体装置であって、シリコン基板と、シリコン基板上に形成された炭化珪素層と、炭化珪素層上に形成されたIII族元素の窒素化合物を含む化合物半導体層とを備える。

請求項（抜粋）：

化合物半導体装置であって、シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成された炭化珪素層と、前記炭化珪素層上に形成された化合物半導体層とを備えたことを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/203 ,  H01S 5/323

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/203 M ,  H01S 5/323

Fターム (32件)：

5F041AA40 ,  5F041CA23 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA66 ,  5F041CA77 ,  5F041CA88 ,  5F073CA07 ,  5F073CB04 ,  5F073CB22 ,  5F073DA06 ,  5F073DA28 ,  5F073DA35 ,  5F103AA04 ,  5F103BB05 ,  5F103BB07 ,  5F103BB08 ,  5F103DD01 ,  5F103DD03 ,  5F103DD05 ,  5F103DD17 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103JJ01 ,  5F103JJ03 ,  5F103KK10 ,  5F103LL02 ,  5F103RR06