特許

J-GLOBAL ID：200903070931293951

微細レジストパターンの形成方法

発明者： 鈴木 克美
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 舘野 千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-220949
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053106
出願日： 1992年07月29日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：

【要約】【目的】 電子ビーム露光による微細パターンの加工精度を改善する。【構成】 任意の基板11の一表面上に塗布したレジスト12の全面もしくは一部に深紫外線を照射した後、電子ビーム露光法により所望のパターンを描画することにより、電子ビーム露光における二次電子の後方散乱によるレジストの膜厚方向の露光強度の不均一を低減し、現像によって得られるレジストパターン形状を改善する。

請求項（抜粋）：

任意の基板上に形成されたレジスト膜に電子ビーム露光法により所望のパターンを描画し、かつ該描画前あるいは描画後に該レジスト膜の全面もしくは一部に該レジストの感度より低い量の深紫外線を照射する工程と、現像を行って所望のパターンを現出する工程とを含むことを特徴とする微細レジストパターンの形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 502 ,  G03F 7/20 521

FI (2件)：

H01L 21/30 301 A ,  H01L 21/30 331 M

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-142918
  
• 特開昭63-185022
  
• 特開昭63-120421