特許

J-GLOBAL ID：200903070931518406

アルミ配線の形成方法

発明者： 奥戸 崇史 ,  岡 直正 ,  荻原 淳
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 安藤 淳二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-177632
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007112
出願日： 1999年06月24日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：

【要約】【課題】 表面状態が良好なアルミ配線の形成方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1の一主表面に絶縁層2を形成する工程と、絶縁層2の一部を除去し半導体基板1の表面を露出させる工程と、絶縁層2と半導体基板1の露出部分の表面上に所定のパターンでアルミ配線3を形成する工程と、絶縁層2とアルミ配線3の上にパッシベーション膜4を形成する工程とを有するアルミ配線3の形成方法において、アルミ配線3と半導体基板1の内少なくともいずれか一方の、半導体基板1の露出部分に対応する位置にのみシリコン34、11を注入するようにした。

請求項（抜粋）：

半導体基板の一主表面に絶縁層を形成する工程と、該絶縁層の一部を除去し前記半導体基板の表面を露出させる工程と、前記絶縁層と前記半導体基板の露出部分の表面上に所定のパターンでアルミ配線を形成する工程と、前記絶縁層とアルミ配線の上にパッシベーション膜を形成する工程とを有するアルミ配線の形成方法において、前記アルミ配線と半導体基板の内少なくともいずれか一方の、前記半導体基板の露出部分に対応する位置にのみシリコンを注入するようにしたことを特徴とするアルミ配線の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/88 T ,  H01L 21/28 301 M ,  H01L 21/88 N ,  H01L 21/90 C

Fターム (27件)：

4M104AA01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB39 ,  4M104CC01 ,  4M104DD06 ,  4M104DD26 ,  4M104DD82 ,  4M104HH06 ,  5F033HH09 ,  5F033HH10 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ09 ,  5F033KK01 ,  5F033LL01 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ59 ,  5F033QQ61 ,  5F033QQ62 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR04 ,  5F033SS12 ,  5F033VV07 ,  5F033XX06 ,  5F033XX30