特許
J-GLOBAL ID:200903070935365884
半導体レーザ素子及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
山崎 宏
, 前田 厚司
, 仲倉 幸典
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-237705
公開番号(公開出願番号):特開2006-059881
出願日: 2004年08月17日
公開日(公表日): 2006年03月02日
要約:
【課題】電気抵抗を低減でき、かつ、レーザ素子特性の悪化を防止できる半導体レーザ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板1上には、第1クラッド層2、量子井戸活性層3、第2クラッド層4及びエッチング停止層5が順次積層されている。エッチング停止層5上には、第3クラッド層14とコンタクト層6とから成るストライプ状のリッジ部11が形成されている。リッジ部11上にはp側電極31が形成されている。p-GaAsコンタクト層6を除いたリッジ部11の側面は誘電体膜21で覆われている。コンタクト層6の層厚は、誘電体膜21の基板1と略平行な部分の膜厚よりも厚くなっている。【選択図】図1
請求項(抜粋):
半導体基板上に形成された化合物半導体層と、
上記化合物半導体層上に形成され、複数の層から成って最上層がコンタクト層であるストライプ状のリッジ部と、
上記リッジ部の両側に形成された誘電体膜と、
上記コンタクト層の上面及び側面に接触するリッジ上電極と
を備え、
上記リッジ上電極に接触するコンタクト層を除いた上記リッジ部の側面は上記誘電体膜で覆われ、
上記コンタクト層の層厚は、上記誘電体膜の上記半導体基板と略平行な部分の膜厚よりも厚いことを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (3件):
H01S 5/022
, H01L 21/28
, H01S 5/042
FI (4件):
H01S5/022
, H01L21/28 301B
, H01L21/28 301R
, H01S5/042 612
Fターム (22件):
4M104AA05
, 4M104BB14
, 4M104CC01
, 4M104FF02
, 4M104FF13
, 4M104GG04
, 4M104HH09
, 4M104HH16
, 5F173AA08
, 5F173AA16
, 5F173AG05
, 5F173AH02
, 5F173AK08
, 5F173AK21
, 5F173AL07
, 5F173AL21
, 5F173AP42
, 5F173AP71
, 5F173AQ10
, 5F173AR33
, 5F173AR62
, 5F173AR72
引用特許:
出願人引用 (2件)
-
半導体レーザ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-225545
出願人:沖電気工業株式会社
-
光半導体素子の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-308190
出願人:日本電気株式会社
審査官引用 (13件)
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