相補型半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-047593
公開番号（公開出願番号）：特開2008-211052
出願日： 2007年02月27日
公開日（公表日）： 2008年09月11日
要約：

【課題】同一GOI基板上に形成するp型MISFET及びn型MISFETの両方の駆動力を向上させる。【解決手段】GOI基板上にp型MISFETとn型MISFETを形成した相補型半導体装置であって、絶縁膜12上に形成され、表面の面方位が(110)面であり、一部にエッチングにより(111)面が露出されたGe層13と、Ge層13の(110)面に形成されたp型MISFETと、Ge層13の(111)面に形成されたn型MISFETとを備えた。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁膜上に形成され、表面の面方位が(110)面であり、一部にエッチングにより(111)面が露出されたGe層と、前記Ge層の(110)面に形成されたp型MISFETと、前記Ge層の(111)面に形成されたn型MISFETと、を具備したことを特徴とする相補型半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/823 , H01L 27/092 , H01L 27/08

FI (6件)：

H01L29/78 613A , H01L27/08 321B , H01L27/08 331E , H01L27/08 321C , H01L29/78 618B , H01L29/78 620

Fターム (35件)：

5F048AA08 , 5F048AC03 , 5F048BA10 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BB01 , 5F048BB02 , 5F048BB11 , 5F048BC01 , 5F048BC02 , 5F048BD01 , 5F048BG07 , 5F048BG11 , 5F110AA01 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE31 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG06 , 5F110GG12 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110HJ13 , 5F110QQ05 , 5F110QQ11 , 5F110QQ17

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-165581 出願人：株式会社東芝

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