特許

J-GLOBAL ID：200903070941104642

表面処理方法及び表面処理装置

発明者： 新井 眞 ,  小野 哲郎 ,  小藤 直行 ,  辻本 和典 ,  水谷 巽
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-051539
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263421
出願日： 1994年03月23日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】本発明は、高スループットのシリコン酸化膜のドライエッチング方法、および装置を提供することを目的とする。【構成】真空処理室を真空に排気し、ウェハ処理ガスとしてフッ素原子および水素原子の少なくとも一方と炭素原子を含む分子のガスを前記処理室に導入した後プラズマ発生手段によりプラズマ化し、温度調節手段によりウェハ温度を所望の値に設定してウェハに形成したシリコン酸化膜を前記ガスプラズマにより処理する表面処理方法および表面処理装置において、アスペクト比の異なるシリコンの穴底面での重合物の堆積速度を平均値の±20%以内に制御する条件で、シリコン酸化膜を処理することを特徴とする表面処理方法。【効果】本発明により、堆積速度のアスペクト比依存性が制御され、高アスペクト比の深孔加工でもシリコン酸化膜のエッチング速度の低下を防止できる。

請求項（抜粋）：

真空処理室を真空に排気し、ウェハ処理ガスとしてフッ素原子および水素原子の少なくとも一方と炭素原子を含む分子のガスを前記処理室に導入した後プラズマ発生手段によりプラズマ化し、温度調節手段によりウェハ温度を所望の値に設定してウェハに形成したシリコン酸化膜を前記ガスプラズマにより処理するドライエッチング工程において、アスペクト比の異なるシリコンの穴底面での重合物の堆積速度を平均値の±20%以内に制御する条件で、シリコン酸化膜を処理することを特徴とする表面処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/31

FI (2件)：

H01L 21/302 J ,  H01L 21/31 C