特許
J-GLOBAL ID：200903070947060450
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉谷 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-024512
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190767
出願日： 1992年01月14日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：
【要約】【目的】 キャパシタの占有面積を増大することなく大容量のキャパシタを実現でき、しかも基板の寄生容量の影響を受けにくいキャパシタ構造をもった半導体装置を提供する。【構成】 シリコン基板11上にシリコン酸化膜12を介して第1の電極としてのポリシリコン膜13を堆積する。ポリシリコン膜13の表面部分は、凹凸状にパターンニングされている。このポリシリコン膜13の上にシリコン窒化膜14を堆積し、その上に第2の電極としての金属配線16を形成する。一方の金属配線17はポリシリコン膜13に接続されている。ポリシリコン膜13をパターンニングすることにより電極面積の増大化を図り、また、ポリシリコン膜13とシリコン基板11との間にシリコン酸化膜12を介在させることにより基板の寄生容量の影響を回避する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に絶縁膜を介して形成され、その表面部分がパターンニングされた第1の電極と、前記第1の電極上に形成された容量絶縁膜と、前記容量絶縁膜の上に形成された第2の電極と、を備えたことを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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