特許
J-GLOBAL ID：200903070947083973
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-247327
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090264
出願日： 1991年09月26日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：
【要約】【目的】本発明は、酸化に対する耐性の高い低抵抗電極配線を持つ半導体装置を提供することを目的とする。【構成】素子形成されたシリコン基板11上にシリコン酸化膜12,TiN膜13を介してW膜14を形成し、このW膜14をパターニングして配線を形成した後、その表面に直接窒化によりW2 N膜を形成し、ついでシリコン膜16を堆積して酸化処理を行うことによって、W膜配線の全表面をシリコン窒化膜17とシリコン酸化膜18の積層膜で覆う。
請求項（抜粋）：
素子形成された半導体基板上に配設された電極配線が高融点金属またはその珪化物を含んで形成され、その電極配線が窒化によるシリコン窒化膜と熱酸化によるシリコン酸化膜の積層膜により覆われていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/28 301
