特許

J-GLOBAL ID：200903070949537530

固体撮像素子およびその製法

発明者： 新居 圭太
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 朝日奈 宗太 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-343221
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175479
出願日： 1991年12月25日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：

【要約】【目的】 耐熱性および耐放射線性にすぐれた固体撮像素子を提供することを目的とする。【構成】 シリコン基板1の表面に形成した絶縁膜2に開口部を形成し、露出したSi結晶をシードとしてエピタキシャル成長を行って絶縁膜上に炭化ケイ素結晶層4を形成し、前記炭化ケイ素結晶層4に電荷転送部6、ホトダイオード部7を形成して固体撮像素子をうる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体結晶層に第2導電型不純物領域の電荷転送部と撮像部とが形成され、前記電荷転送部上に絶縁膜を介して電荷転送電極部を有する固体撮像素子であって、前記半導体結晶層が炭化ケイ素結晶層で形成されていることを特徴とする固体撮像素子。