特許

J-GLOBAL ID：200903070955607760

蒸着方法

発明者： リチャード・ロース・フイニイ ,  デヴイド・クレイグ・ストリーペ
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-175671
公開番号（公開出願番号）：特開平8-049067
出願日： 1988年07月18日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：

【要約】【目的】 高密度の半導体集積回路で必要とされる均一で高品質な蒸着薄膜を実現すること。【構成】 基板上に金属の層を蒸着する方法であって、基板及びるつぼの間にシールドを配置し、るつぼの中の装入物を溶融するには充分であるが、蒸発させるには不十分な第1の温度まで装入物を加熱するエネルギーをるつぼに供給し、第1の温度よりも高い第2の温度まで装入物を加熱するようエネルギーを増加して、装入物が分留してその中に含まれる非金属の不純物が昇華又は蒸発するのに充分な時間にわたってこのエネルギーを維持し、装入物の温度が第3の温度になるようエネルギーを変化して装入物の金属を蒸発させ、基板とるつぼの間のシールドを除去して基板上に金属を蒸着する。

請求項（抜粋）：

基板上に金属の層を蒸着する方法であって、蒸気圧が前記金属の蒸気圧よりも低い材料で構成されたるつぼの中に前記金属の装入物を載置し、前記基板及び前記るつぼの間にシールドを配置し、前記るつぼの中の装入物を溶融するには充分であるが前記装入物を蒸発させるには不十分な第1の温度まで前記装入物を加熱するエネルギーを前記るつぼに供給し、前記第1の温度よりも高い第2の温度まで前記装入物を加熱するよう前記エネルギーを増加して、前記装入物が分留してその中に含まれる非金属の不純物が昇華又は蒸発するのに充分な時間にわたって前記エネルギーを維持し、前記装入物の温度が第3の温度になるよう前記エネルギーを変化して前記装入物の金属を蒸発させ、前記基板と前記るつぼの間のシールドを除去して前記基板上に前記金属を蒸着する、蒸着方法。

IPC (2件)：

C23C 14/26 ,  H01L 21/203